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一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。2023年10月23日 本专利由柔电(武汉)科技有限公司申请，公开，本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法技术领域，尤其涉及硅碳负极及利用ALD技术在多孔碳中沉积硅层制备 一种硅碳负极及其制备方法CNB 专利顾如 2024年5月7日 本专利由厦门厦钨新能源材料股份有限公司申请，公开，本发明属于锂离子电池材料领域，具体涉及一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和应 一种利于硅沉积的多孔碳材料和硅碳负极材料及其制备方法和 2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法 百度学术
2018年7月10日 本发明公开了一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法,包括:(1)向碳化硅中加入无水乙醇,球磨12～36h,于80～100℃干燥3～5h,得到粒径为10～100nm的碳化硅粉末;(2)将上 喷射电沉积是电化学沉积的分支之一,作为一种局部高速电沉积技术,其具有热量和物质传递速率高、极限电流密度大以及沉积效率高等诸多优点,理论上可以通过合理控制电流密度及沉积时间 多元喷射电沉积制备硅基铜/钴纳米多层膜试验研究 百度学术2019年12月18日 在这里，我们演示了一种简单的方法，该方法可通过一步一步在熔融盐中电沉积工艺直接从二氧化硅制备高纯度的太阳能级硅膜，以用于可能的光伏应用。用二氧化硅电沉积结晶硅膜，用于低成本光伏应用。,Nature 2022年2月28日 这种电刺激通过氧化或还原靠近基底表面的溶液层内部的离子、 分子或配合物从而使该溶液层偏离其热力学平衡状态,随后引起目标产物在基底表面的沉积。在电沉积过程中, 电子功能外延薄膜的电沉积 Xiamen University
一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法
2021年10月29日 本发明公开一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法,将粘合剂,导电碳黑和碳纳米管加入水中,得到混合溶液,在180℃～200℃对混合溶液进行喷雾干燥,得到 2007年1月27日 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积（*+,/01）方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料，研究了 材料晶化率和生长速度随功率变化的规律，进而研究/01方法沉积 高压 !#$% 技术沉积硅基薄膜过程中摘要： 本发明涉及电沉积生产金属银的方法,利用带有特定隔膜的电解槽对含Ce(NO)的阳极区电解液和含AgNO的阴极区电解液进行电解,其中,阳极区的电解液不能进入阴极区,电解完成后,在阴极得到高纯度的金属银,阳极区得到Ce(NO)本发明通过阻止阳极区的电解液和阴极区的电解液之间的无序流通,实现了 一种电沉积生产金属银的方法 百度学术不过，在所提供的参考资料中，并没有详细介绍 PVD 在硅沉积中应用的具体细节。 2化学气相沉积（CVD） CVD 是一种更常用的硅沉积方法。 它是通过气体前驱体之间的化学反应形成薄膜。 本参考文献详细介绍了几种可使用化学气相沉积法沉积的硅薄膜。 21硅沉积的方法有哪些？4 种关键技术解析 Kintek Solution
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5 ，加入占熔 2022年10月28日 1本发明涉及电沉积技术领域，具体而言，涉及一种电沉积银的方法。背景技术： 2金属银因具有优良的耐腐蚀性、润滑性、装饰性、耐菌性，以及高导电性、高催化性、对环境的高敏感性等，在微电子行业、催化剂领域、传感器领域以及制备磁阻材料领域得到了广泛的应用。一种电沉积银的方法 X技术网2015年12月9日 基于等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术的氮化硅薄膜技术主要应用于半导体器件和集成电路的研制中，用作芯片的钝化层和多层布线间的介质膜。在大多数氮化硅薄膜的沉积工艺过程中，如果沉积温度降低至400°C以下，薄膜性能会受到较大影响。因此，在低温下沉积出性能稳定的氮化硅薄膜，是 一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 X技术网解决材料表面织构构造方法中所存在的工艺复杂、成本高、织构几何结构单一等问题,提出了用局部电沉积的方法构造材料表面复杂织构的新方法。 该方法操作简单,过程可控,成本低廉,同时,表面织构的几何形貌的设计性更高,丰富了材料表面处理方法,特别是表面织构构造方法的多样性。一种实现材料表面织构化的局部电沉积方法
一种电沉积生产金属银的方法与流程
2019年4月23日 本发明涉及湿法冶金技术，具体涉及一种电沉积生产金属银的方法。背景技术银是导电性能最好的金属，可制成电线、箔片、涂层或者导电浆料。它还是重要的化学原料，可作为感光剂和多种氧化反应催化剂的活性成分。现代工业中银已是不可或缺的原材料，2014年全球消费量达到31万吨。作为价值 2014年10月5日 电沉积硅技术的历史和发展趋势蔡宗英1,张莉霞1,李运刚2(1北京科技大学理化系,北京;2河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45，加入占 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents2023年12月9日 本申请涉及一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法，属于电化学领域。背景技术： 1、生物质基炭材料是极具发展前景的前沿新材料，具有独特的天然微结构、材料纯度高、功能多样性、且结构易调控等优点，广泛用在新能源、化工、医药、半导体等领域，支撑万亿级国家战略性新兴 一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法与流程
一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法 X技术网
2013年3月20日 本发明涉及一种硅的表面处理，尤其是涉及。背景技术硅是目前广泛应用于半导体元件和集成电路的重要半导体材料之一。单晶硅由于表面平整度高而广泛应用于纳米科学技术、微机电加工等研究领域。就目前太阳能电池、发光二极管、大功率整流器、大功率晶体管等硅材料的加工而言，通常都是 本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体而言，涉及一种颗粒硅的生产方法及系统。背景技术改良西门子法和流化床法是制备多晶硅的主要方法，两种方法均需要多晶硅晶种作为硅沉积载体，改良西门子法通常采用的是圆柱形多晶硅细棒或正方体型多晶硅硅棒作为硅沉积载体，流化床法采用小粒 一种颗粒硅的生产方法及系统与流程 X技术网2021年10月30日 1本发明涉及三维电沉积技术领域，更具体地，涉及一种电沉积方法和电沉积装置。背景技术： 2在科学技术和制造技术发展的今天，越来越多的微细结构出现在工业应用中，微细加工的研究得到了广泛的重视。 电沉积技术是金属电解冶炼、电镀过程的基础，在传统的装饰、耐磨、减摩、防腐蚀和 一种电沉积方法和电沉积装置2009年3月9日 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 此方法是目前普遍采用的一种 ，能够获得高质量的外延硅单晶。氢还原四氯化硅法是 以运载气体和还原剂，在高温（1200℃）下使 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 电子实验 电子发烧友网
一种PECVD沉积Ppoly硅的方法及硅片与装置系统与流程
2024年3月22日 本发明属于太阳能电池，涉及一种沉积ppoly硅的方法，尤其涉及一种pecvd沉积ppoly硅的方法及硅片与装置系统。背景技术： 1、随着topcon电池逐步实现大规模量产后，各家公司和科研机构开始着手开发并研究下一代电池产品，即xbc电池。2022年7月17日 邹星礼; 李金键; 张学强; 李想; 庞忠亚; 汪淑娟; 熊晓璐; 李光石; 许茜; 鲁雄刚。一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法。2021年，CN57 。摘要：本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法,涉及冶金新技术及高纯材料制备领域。本发明采用CaCl2Fe2O3CaO为熔盐体系,在恒电流、恒电压 一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法上海大学氢冶金与低碳 2021年9月8日 1本发明涉及硅芯的工艺技术领域，具体涉及一种方形硅芯的制备方法。背景技术： 2多晶硅因其原料来源广、生产效率高、生产规模大，已成为太阳能行业中的主导光伏材料。 目前市面上的多晶硅大多采用改良西门子法生产多晶硅。3在改良西门子法生产多晶硅过程中，硅芯是作为还原炉中进行 一种方形硅芯的制备方法与流程2020年5月13日 但是由于这些方法对可制备的金属单原子或载体有一些特殊的要求，还不能实现对金属单原子和载体材料的无选择性制备。近日，中国科学技术大学曾杰 教授（点击查看介绍）课题组 利用电化学沉积技术发展出了一种制备单原子催化剂的普适性方法。中科大曾杰课题组Nature Commun：电化学沉积实现单原子
一种从硅渣中浮选硅的方法CNA 专利顾如
2022年10月28日 1一种从硅渣中浮选硅的方法，其特征在于，步骤如下：(1)将硅渣通过辊轮破碎的方式破碎至00805mm，(2)将破碎后的硅渣用水进行脱泥洗涤、过滤备用，(3)将洗涤后的硅渣置于NaOH溶液中，于搅拌状态下浸渍12h,浸渍温度为030℃；(4)将浸渍后的硅渣捞12020年12月11日 摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法,该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜,包括以下步骤:将衬底置于反应腔体内,抽真空,加热;将氧等离子体与硅源喷向衬底表面,在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅,得到氧化硅薄膜本发明制备氧化 一种制备氧化硅薄膜的方法 百度学术2018年8月26日 1一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，其特征在于，以具有环形分子结构的三甲硅烷基环三硅氮烷作为前驱体，与含氮化合物采用“沉积固化”的周期性循环方式沉积到衬底上，形成可流动的氮化硅薄膜，直至填满衬底的沟槽；所述氮化硅薄膜在700~900℃温度下进行退火处理或者在300~400 一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法CNB电沉积是指金属或合金从其化合物水溶液、非水溶液或熔盐中电化学沉积的过程。是金属电解冶炼、电解精炼、电镀、电铸过程的基础。这些过程在一定的电解质和操作条件下进行，金属电沉积的难易程度以及沉积物的形态与沉积金属的性质 电沉积百度百科
一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
2013年1月22日 摘要： 本发明提供一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法,二氯二氢硅和三氯氢硅液体采用独立的汽化器和过热器,分别进行汽化和过热;过热后的三氯氢硅气体,二氯二氢硅气体及高纯氢气通过各自的流量控制单元分阶段以合适的流量进入静态混合器中混合,混合后的气体进入混合气体温度 2006年9月20日 本发明涉及一种采用化学气相沉积(CVD)在低温下制备SiNx薄膜的方法，更确切地说是以NH3为氮源，以有机硅源前驱体为硅源，采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺在低温下制备SiNx薄膜的方法，属于半导体薄膜领域。背景技术在半导体集成电路中，用于器件之间以及布线之间电气隔离的绝缘膜是非常重要的 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 X技术网2018年12月28日 该领域下的技术专家 如您需求助技术专家，请点此查看客服进行咨询。 1、钟老师：功能配合物能源催化转化 2、余老师：设计和制备新能源电极材料研究材料在氢气、氧气、二氧化碳等能源小分子电催化转化中的应用，通过先进表征手段和理论模拟计算理解催化位点和反应机理，力图发展几种 一种三电极体系下电沉积NiCo/SiC纳米复合镀层的制备方法 2007年4月18日 摘要： 本发明公开了一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法,是采用电沉积一步成型直接把活性物质,导电剂,粘结剂沉积在基体上其制备方法,第一步:配制电沉积溶液;第二步:除去基体表面的氧化层;第三步:将经第二步处理后的基体浸入第一步已配制好的电沉积水溶液中开始电沉积氢氧化镍材料;第 一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法 百度学术
一种PECVD法沉积非晶硅的控制爆膜的方法与流程 X技术网
2022年3月26日 一种pecvd法沉积非晶硅的控制爆膜的方法 技术领域 1本发明属于太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种pecvd法沉积非晶硅的控制爆膜的方法。 背景技术： 2太阳能电池，是一种通过光伏效应将光能直接转化为电能的电力设备。 目前，最常见的太阳能 2021年12月31日 本发明公开了一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法，属于电镀技术领域，该方法首先将氯化胆碱、乙酰丙酸和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂，接着将氯化亚铁、六水氯化钴、六水氯化镍、二水氯化铜、二水氯化亚锡加入到低共熔溶剂中再恒温搅拌得到电镀液；将石墨作为阳极，黄铜片等 一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法CNA2018年11月16日 本发明涉及氧化亚硅领域，具体而言，涉及一种生产氧化亚硅的方法及装置。背景技术目前，氧化亚硅(SiOx)是重要的电子和光学材料和锂离子电池负极添加剂。传统上生产氧化亚硅的方法是将单质硅和二氧化硅同摩尔比例混合，然后研磨成微米量级的粉末(颗粒越小混合越均匀，相互间接越紧密越有 一种生产氧化亚硅的方法及装置与流程2004年10月27日 1一种采用电沉积法制备氧化钴材料的方法，其特征在于第一步配制电沉积溶液；以水溶液为电解液，主盐成分为Co(NO3)2、钴的硫酸盐，浓度在001～5mol；导电剂为活性碳，活性碳重量为总重量的001～20％；粘结剂为醇类高分子聚合物，重量为总重量的0一种采用电沉积法制备氧化钴材料的方法 X技术网
一种电沉积生产金属银的方法 百度学术
摘要： 本发明涉及电沉积生产金属银的方法,利用带有特定隔膜的电解槽对含Ce(NO)的阳极区电解液和含AgNO的阴极区电解液进行电解,其中,阳极区的电解液不能进入阴极区,电解完成后,在阴极得到高纯度的金属银,阳极区得到Ce(NO)本发明通过阻止阳极区的电解液和阴极区的电解液之间的无序流通,实现了 不过，在所提供的参考资料中，并没有详细介绍 PVD 在硅沉积中应用的具体细节。 2化学气相沉积（CVD） CVD 是一种更常用的硅沉积方法。 它是通过气体前驱体之间的化学反应形成薄膜。 本参考文献详细介绍了几种可使用化学气相沉积法沉积的硅薄膜。 21硅沉积的方法有哪些？4 种关键技术解析 Kintek Solution摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5 ，加入占熔 一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库2022年10月28日 1本发明涉及电沉积技术领域，具体而言，涉及一种电沉积银的方法。背景技术： 2金属银因具有优良的耐腐蚀性、润滑性、装饰性、耐菌性，以及高导电性、高催化性、对环境的高敏感性等，在微电子行业、催化剂领域、传感器领域以及制备磁阻材料领域得到了广泛的应用。一种电沉积银的方法 X技术网
一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 X技术网
2015年12月9日 基于等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术的氮化硅薄膜技术主要应用于半导体器件和集成电路的研制中，用作芯片的钝化层和多层布线间的介质膜。在大多数氮化硅薄膜的沉积工艺过程中，如果沉积温度降低至400°C以下，薄膜性能会受到较大影响。因此，在低温下沉积出性能稳定的氮化硅薄膜，是 解决材料表面织构构造方法中所存在的工艺复杂、成本高、织构几何结构单一等问题,提出了用局部电沉积的方法构造材料表面复杂织构的新方法。 该方法操作简单,过程可控,成本低廉,同时,表面织构的几何形貌的设计性更高,丰富了材料表面处理方法,特别是表面织构构造方法的多样性。一种实现材料表面织构化的局部电沉积方法2019年4月23日 本发明涉及湿法冶金技术，具体涉及一种电沉积生产金属银的方法。背景技术银是导电性能最好的金属，可制成电线、箔片、涂层或者导电浆料。它还是重要的化学原料，可作为感光剂和多种氧化反应催化剂的活性成分。现代工业中银已是不可或缺的原材料，2014年全球消费量达到31万吨。作为价值 一种电沉积生产金属银的方法与流程2014年10月5日 电沉积硅技术的历史和发展趋势蔡宗英1,张莉霞1,李运刚2(1北京科技大学理化系,北京;2河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45，加入占 2023年12月9日 本申请涉及一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法，属于电化学领域。背景技术： 1、生物质基炭材料是极具发展前景的前沿新材料，具有独特的天然微结构、材料纯度高、功能多样性、且结构易调控等优点，广泛用在新能源、化工、医药、半导体等领域，支撑万亿级国家战略性新兴 一种应用于气相沉积硅工艺的多孔炭材料的制备方法与流程